بحران حافظه رم عمیق‌تر می‌شود؛ کاهش 70 درصدی تولید DRAM در سال 2027

مدیرعامل Apacer هشدار داده که بازار حافظه رم در سال 2027 با یکی از شدیدترین بحران‌های عرضه تاریخ خود مواجه خواهد شد. به گفته او، افزایش تقاضا برای حافظه‌های HBM مورد استفاده در هوش مصنوعی باعث می‌شود تولید DRAM معمولی برای کامپیوترها، گوشی‌های هوشمند و سایر محصولات تا 70 درصد کاهش یابد.

در واقع مدیرعامل Apacer اعلام کرده که تولیدکنندگان DRAM ممکن است در سال آینده تنها 30 درصد از حجم تولید سال 2026 خود را عرضه کنند؛ موضوعی که به معنای کاهش 70 درصدی عرضه سالانه DRAM معمولی خواهد بود.

هجوم صنعت به سمت HBM، عامل اصلی کمبود DRAM

رشد انفجاری هوش مصنوعی و نیاز به پردازنده‌های شتاب‌دهنده باعث شده شرکت‌های بزرگ تولیدکننده حافظه، بخش قابل توجهی از ظرفیت تولید ویفرهای DRAM را به حافظه‌های HBM اختصاص دهند. این حافظه‌ها در سرورهای هوش مصنوعی و پردازنده‌هایی مانند محصولات شتاب‌دهنده هوش مصنوعی استفاده می‌شوند و سود بسیار بیشتری نسبت به DRAM معمولی دارند.

بر اساس گزارش‌ Wccftech اگرچه انتظار می‌رود عرضه ویفرهای حافظه در سال‌های 2027 و 2028 حدود 12 درصد در سال افزایش پیدا کند، اما نزدیک به نیمی از این ظرفیت جدید به تولید HBM اختصاص خواهد یافت.

در همین راستا، پیش‌بینی می‌شود سامسونگ در سال 2026 حدود 12 میلیارد گیگابایت حافظه HBM عرضه کند و این رقم را در سال 2027 به 20 میلیارد گیگابایت برساند. همچنین SK hynix نیز قصد دارد تولید HBM خود را از 18 میلیارد گیگابایت در سال 2026 به 24 میلیارد گیگابایت در سال 2027 افزایش دهد.

با افزایش تمرکز شرکت‌ها روی HBM، رشد ظرفیت تولید DRAM غیر از HBM در سال‌های 2027 و 2028 تنها حدود 15 درصد در سال خواهد بود؛ این در حالی است که انتظار می‌رود تقاضا برای این نوع حافظه حدود 22 درصد رشد کند.

برای افزایش ظرفیت تولید، سامسونگ قصد دارد کارخانه P5 Fab 1 خود را تا ژوئیه 2027 وارد مدار کند. همچنین کارخانه P5 Fab 2 و یک مجموعه تولیدی دیگر در Yongin تا سال 2029 فعالیت خود را آغاز خواهند کرد. از سوی دیگر، کارخانه Y1 شرکت SK hynix در Yongin نیز در فوریه 2027 راه‌اندازی می‌شود و کارخانه Y2 در نیمه دوم سال 2028 به بهره‌برداری خواهد رسید.

امید بازار به فناوری DRAM سه‌بعدی چین

در شرایطی که کمبود DRAM می‌تواند قیمت حافظه‌ها را افزایش دهد، تنها امید جدی بازار مصرفی ممکن است به شرکت چینی ChangXin Memory Technologies یا CXMT و فناوری DRAM سه‌بعدی این شرکت وابسته باشد.

در این فناوری، سلول‌های حافظه به صورت عمودی روی یکدیگر قرار می‌گیرند تا ظرفیت افزایش پیدا کند؛ روشی که برخلاف کاهش مداوم ابعاد افقی ترانزیستورها با استفاده از فناوری‌هایی مانند EUV، تلاش می‌کند چگالی بیت و ظرفیت ذخیره‌سازی را از طریق ساختار جدید افزایش دهد.

در صورت موفقیت تجاری این فناوری، CXMT می‌تواند بخشی از فشار موجود بر بازار DRAM را کاهش دهد. با این حال، در کوتاه‌مدت به نظر می‌رسد صنعت کامپیوتر و گوشی‌های هوشمند باید خود را برای دوره‌ای از کمبود حافظه و افزایش قیمت محصولات آماده کند.